一硒化锗
化合物
一硒化锗是一种无机化合物,化学式为GeSe。它是一种黑色晶体,为正交晶系 (错位的NaCl构型)。在 ~650 °C的温度下,硒化锗的晶体结构会转变成 NaCl 的立方晶系。[3]
一硒化锗 | |
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IUPAC名 Germanium selenide | |
别名 | 硒化锗(II) 硒化亚锗 |
识别 | |
CAS号 | 12065-10-0 ![]() |
PubChem | 12049114 |
SMILES |
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性质 | |
化学式 | GeSe |
摩尔质量 | 151.57 g/mol g·mol⁻¹ |
外观 | 黑色固体 |
密度 | 5.56 g/cm3 |
熔点 | 667 °C(940 K)(分解) |
能隙 | 1.07 eV (indirect) [1] eV |
折光度n D |
2.5 |
结构 | |
晶体结构 | 正交晶系 |
空间群 | Pnma |
相关物质[2] | |
其他阴离子 | 一硫化锗 一碲化锗 |
其他阳离子 | 硒化铅 |
若非注明,所有数据均出自标准状态(25 ℃,100 kPa)下。 |
为了生长GeSe晶体,GeSe粉末会在密封安瓿瓶的热端蒸发,并在冷端冷凝。通常硒化锗的晶体很小,并且显示出不规则生长的迹象。这主要是由气态介质中的对流运动引起的。但是,在天空实验室计划上,零重力和对流减少的条件下生长的GeSe会比在地球生长的硒化锗晶体大大约10倍,并且没有肉眼可见的缺陷。 [4][5]
参考资料
- ^ R. Eymard and A. Otto; et al. Optical and electron-energy-loss spectroscopy of GeS, GeSe, SnS, and SnSe single crystals. Physical Review B. 977. doi:10.1103/PhysRevB.16.1616 .
- ^ GeSe at webelements
- ^ Wiedemeier H., Siemers P.A. The Thermal Expansion and High Temperature Transformation of GeSe. Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie. 1975, 411: 90–96. doi:10.1002/zaac.19754110110.
- ^ SP-400 Skylab, Our First Space Station. NASA. [2009-06-06]. (原始内容存档于2021-06-14).
- ^ H. Wiedemeier; et al. Crystal growth and transport rates of GeSe and GeTe in micro-gravity environment. Journal of Crystal Growth. 1975, 31: 36. doi:10.1016/0022-0248(75)90107-4.