格芯

晶圓代工企業
(重定向自格羅方德

格芯(又译格罗方德;英語:GlobalFoundries Inc.,简称GFGloFo)是一家总部位于美国加利福尼亚州圣克拉拉半導體晶圓代工公司。该公司最初從超微半導體的製造部门独立而出,目前為世界第五大專業晶圓代工廠,僅次於台積電三星電子中芯國際聯電[4]

格羅方德
GlobalFoundries Inc.
公司類型上市公司
股票代號
ISINKYG393871085
成立2009年3月2日
代表人物Thomas Caulfield(CEO)
總部 美国纽约馬爾他 (紐約州)
产业半導體晶圓廠
產品晶圓
營業額44億美元(2014年)[1][2]
息税前利润−59,812,000 美元 (2021年) 编辑维基数据
净利润−253,931,000 美元 (2021年) 编辑维基数据
資產15,027,602,000 美元 (2021年) 编辑维基数据
資產淨值8,033,132,000 美元 (2021年) 编辑维基数据
所有權者穆巴达拉石油公司 编辑维基数据
員工人數18,000 [3]
网站gf.com
德國總廠

2021年10月28日,公司在纳斯达克上市。[5]

历史

格羅方德成立於2009年3月2日,是從美國AMD公司製造部門分拆出。母公司分別為AMD及阿布達比主权财富基金阿布達比創投英语Mubadala Investment Company旗下的先進技術投資公司(Advanced Technology Investment Company;簡稱ATIC)[6],其中ATIC佔公司股權65.8%,兩公司均享有均等投票權。

2010年1月13日,格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)收購新加坡特許半導體[6]

2011年3月6日,ATIC以4.25億美元收購AMD擁有的格羅方德半導體股份餘下的8.8%的股份,成為一家獨立的晶片製造商,使得ATIC成為格羅方德的唯一持股者[7]

2013年,位于美国纽约州的八厂投入运营。AMD對該廠擁有14%的股份。[8][9]

2014年10月20日,IBM正式宣布邀請格羅方德收購其晶片製造業務。[6][10]

2016年5月31日,宣布將與重慶官方合資設立12吋晶圓廠,由重慶市官方提供土地與中國中航航空電子系統的廠房,而格羅方德則負責技術升級,將現有的8吋晶圓廠升級為12吋晶圓[11]

2017年2月10日,宣布在中國四川省成都高新區建造12吋晶圓生產項目,投資規模預計超過100億美元,將成為中國西南部首條12吋晶圓生產線。[12]

2017年8月15日,宣布採用高效能 14 奈米 FinFET 製程技術的 FX-14 特定應用積體電路(ASIC)整合設計系統,進入先進晶圓封裝的領域。[13]

2018年8月28日,宣布將無限期暫停7奈米製程研發,將人力物力轉至14與12奈米製程研發上。[14]

2018年10月取消占地1000多亩的180nm/130nm项目投资后,格芯于2020年5月,发布通告,成都工厂遣散员工并停工停业。[15]

2019年1月31日,以2.36億美元的價格將新加坡的Fab 3E 8英寸晶圓廠賣給世界先進

2019年4月23日,以4.3億美元的價格將美國紐約州的12吋Fab 10晶圓廠賣給安森美半導體

2019年5月22日,以7.4億美元的價格將旗下ASIC子公司Avera Semiconductor賣給marvell

2019年8月14日,將光罩業務賣給日本凸版公司

2019年10月1日,台積電對美國、德國和新加坡的GlobalFoundries提起專利侵權訴訟。台積電(TSMC)聲稱GlobalFoundries的12 nm、14 nm、22 nm、28 nm和40 nm節點侵犯了其25項專利。台積電和GlobalFoundries於2019年10月29日宣布了爭端解決方案。兩家公司同意為其所有現有半導體專利以及將在未來十年內申請的新專利授予新的專利壽命交叉許可。[16]

2020年5月,格芯发布通告,成都工厂遣散员工并停工停业。[16]

2021年10月4日,全球半導體設計商和製造商 GlobalFoundries 週一向美國證券交易委員會提交了IPO申請,希望通過首次公開募股籌集至多 10 億美元(佔位符,我們預計可能募集20億美金)。 GlobalFoundries計劃在納斯達克上市,代碼為 GFS。 GlobalFoundries 於 2021 年 8 月 9 日秘密提交了申請。 Morgan Stanley、 BofA Securities、J.P. Morgan、Citi、Credit Suisse、 Deutsche Bank、 HSBC、 and Jefferies是該交易的聯合賬簿管理人。[16]

制造厂区

公司除會生產AMD產品外,也有其他公司,如IBM安謀國際科技(ARM)、博通(Broadcom)、英伟达(NVIDIA)、高通(Qualcomm)、意法半導體(STMicroelectronics)、德州儀器(TI)等晶圓代工製造業務的合作。現時投產中的晶圓廠,12吋的位於德國德累斯頓的一廠(Fab 1,即原AMD的Fab 36和Fab 38),位於美國紐約州中馬爾他(Malta)的八廠(Fab 8)和East Fishkill的十厂(Fab10)(原为IBM的Building 323),以及位于新加坡的七厂(Fab 7)。八吋廠的二厂三厂五厂(Fab 2、3、5)位于新加坡,九厂(Fab9)位于美国佛蒙特州埃塞克斯章克申英语Essex Junction

300毫米(12吋)晶圓工廠

  • Fab 1:位於德國德勒斯登,佔地364,512平方公尺,是由原AMD最早的晶圓廠Fab 36和Fab 38合併而來,格羅方德成立以後這裡就改名為Fab 1 - Module 1,後來也將就近的原AMD Fab 30也合併至Fab 1 - Module 2廠區,每個廠區300毫米晶圓的產能可達每月可產出25,000塊以上。[9][17]Module 1 廠區主要以40奈米、28奈米BULK製程工藝和22奈米FDSOI製程工藝為主;Module 2 廠區原本以製造200毫米晶圓為主,後來也轉為製造300毫米晶圓,以45奈米及更老的製程為主。2016年9月格羅方德宣布Fab 1 的12奈米FDSOI製程工藝已經流片成功。[18]預計2019年上半年可接收訂單進行量產。
  • Fab 7:位於新加坡兀蘭,收購新加坡的特許半導體英语Chartered Semiconductor而來。本廠以130奈米至40奈米製程、BULK和SOI工藝為主,每月的晶圓產能可達50,000塊/300毫米晶圓(或112,500塊/200毫米晶圓)。[9]
  • Fab 8:位於美國紐約馬耳他薩拉托加的盧瑟森林科技園區英语Luther Forest Technology Campus,自2009年6月開始興建,2012年投入生產,是格羅方德自AMD分離以後興建的廠區裡面最大也是最新進的,主要製造300毫米晶圓,以14奈米製程節點、FinFET工藝為主。[9][19]每月的晶圓產量可達60,000塊/300毫米晶圓(或135,000塊/200毫米晶圓),以28奈米製程和14奈米製程為主,其中14奈米製程的技術是與三星電子旗下的晶圓廠合作。2016年9月,格羅方德宣布為該廠投入數十億美元開發 7 奈米製程,採用FinFET、極紫光刻工藝,並預計2018年下半年可投產。[20][21]
  • Fab 10:位於美國紐約東菲什基爾[22],前IBM的Building 323,由收購IBM微電子事業部而來,以22奈米節點工藝為主。2019年4月,安森美半导体宣布收购Fab 10。
  • Fab 11:位於中國大陸四川成都,目前已停产停工。[15]原本預計2018年可投入生產,產能預計每月20,000塊,遠期計劃達到85,000塊/月。[23] 目前,因為市場不如預期, 已經停工停产;被員工爆料晶圓廠內根本沒有設備。並未引進 FD-SOI的 22nm製程,只能做 40 nm製程;目前這座 12吋廠只有進行到第一期工程結束,廠內都是使用從新加坡廠轉移過來的技術跟設備,該新加坡廠是2010年收購的特許半導體旗下的晶圓廠,留下的都是一些老舊、甚至已經淘汰的二手設備。受制於這些設備與技術,這座12吋廠實務上只能作到 40 nm的製程,而且產線人員也才剛送到新加坡進行培訓結束——該晶圓廠根本尚未開始、也無法進行量產;第二期工程产量为每月88,000塊(2019年,FDSOI), 有業務團隊, 等客戶群夠 ,就會將機台move in;FD-SOI (Fully-Depleted Silicon-On Insulator)製程與主流的 FinFET(Fin Field-Effect Transistor)製程都是半導體產業中可量產的電晶體技術,其中 FinFET元件主要用於高性能元件,像是 GPU和 CPU,例如台積電的主流製程均採用 FinFET;而 FD-SOI 相對優勢為低功耗、低製程成本與易於整合。

200毫米(8吋)晶圓工廠

除了Fab 9,其餘的均為收購特許半導體而來。

  • Fab 2:位於新加坡兀蘭。本廠以600至350奈米製程為主,代工產品以汽車電子IC、大功率高電壓IC以及類比-數位混合信號IC為主。
  • Fab 3E:位於新加坡淡滨尼。本廠主要製造180奈米製程的晶圓,代工產品以汽車電子IC、高電壓電源管理IC和帶有非易失性記憶體的嵌入式混合信號IC為主,2019年出售給世界先進。

参考

  1. ^ Worldwide Semiconductor Foundry Market Grew 16.1 Percent in 2014, According to Final Results by Gartner. [6 August 2015]. (原始内容存档于2015-04-16). 
  2. ^ TSMC, GlobalFoundries and Samsung Lead Chip Foundry Rankings in 2012 - X-bit labs. [6 August 2015]. (原始内容存档于2015-09-15). 
  3. ^ GLOBALFOUNDRIES Fast Facts. [6 August 2015]. (原始内容存档于2015-08-12). 
  4. ^ 存档副本. [2024-05-27]. (原始内容存档于2024-09-01). 
  5. ^ Chipmaker GlobalFoundries prices IPO at upper end to raise $2.6 bln | Reuters. Reuters. [2023-03-22]. (原始内容存档于2023-02-26). 
  6. ^ 6.0 6.1 6.2 [1]页面存档备份,存于互联网档案馆),2014-10-21
  7. ^ ATIC buys AMD's remaining share in GLOBALFOUNDRIES. [2012-12-12]. (原始内容存档于2020-09-28). 
  8. ^ [2]页面存档备份,存于互联网档案馆),2013-12-17
  9. ^ 9.0 9.1 9.2 9.3 Manufacturing. [6 August 2015]. (原始内容存档于2016-06-05). 
  10. ^ [3]页面存档备份,存于互联网档案馆),亞洲華爾街日報華爾街日報,2014-10-20
  11. ^ 半導體大廠競插旗中國 格羅方德與重慶合資12吋廠. 中時電子報. 2016-06-01. (原始内容存档于2020-08-09). 
  12. ^ 格羅方德 成都打造晶圓廠. 中時電子報. 2017-02-11. (原始内容存档于2020-08-09). 
  13. ^ 繼台積電之後,格羅方德宣布成功進入先進晶圓封裝領域. TechNews. 2017-08-15. (原始内容存档于2020-08-10). 
  14. ^ 〈晶圓先進製程競賽〉格羅方德退出7奈米 台積電股價大漲創近5月新高. 鉅亨網News. 2018-08-28. (原始内容存档于2020-08-06). 
  15. ^ 15.0 15.1 成都工厂正式停工停业
  16. ^ 16.0 16.1 16.2 世界第三大专业晶圆代工厂:格芯GlobalFoundries Inc.. 美股之家. 2021-06-04 [2021-10-05]. (原始内容存档于2021-10-22). 
  17. ^ http://globalfoundries.com/about_us/locations/dresden. [6 August 2015]. (原始内容存档于2016-06-05).  缺少或|title=为空 (帮助)
  18. ^ Kampman, Jeff. GlobalFoundries adds a 12-nm node to its FD-SOI roadmap. TechReport. 8 September 2016 [16 September 2016]. (原始内容存档于2021-02-25). 
  19. ^ GlobalFoundries Saratoga County, New York, USA 互联网档案馆存檔,存档日期10 March 2009.
  20. ^ Shilov, Anton. GlobalFoundaries Updates Roadmap. Anandtech. 3 October 2016 [3 October 2016]. (原始内容存档于2021-01-13). 
  21. ^ Kampman, Jeff. GlobalFoundries skips the 10-nm node on the way to 7-nm FinFETs. TechReport. 15 September 2016 [16 September 2016]. (原始内容存档于2021-03-02). 
  22. ^ 22.0 22.1 Jim Doyle. [6 August 2015]. (原始内容存档于2016-01-27). 
  23. ^ (新闻稿) 17 May 2020 https://m.sohu.com/a/395690005 17 May 2020 请检查|url=值 (帮助).  缺少或|title=为空 (帮助)[失效連結]

外部連結