传输门
结构
原则上，传输门是由两个MOSFET（FET）组成的，n沟道MOSFET（即NMOS）和p沟道MOSFET（即PMOS）并联连接，其中一个的漏极连结到另一个的源极。它们的栅极需要透过反相器连在一起，形成控制端子。
应用
电子开关
沟道晶体管逻辑
参考资料
- ^ Franco Zappa. "Electronic Systems" （页面存档备份，存于互联网档案馆）. Section 6.9: Analog Multiplexers.
- ^ Sedra, Adel S.; Smith, Kenneth C.; Carusone, Tony Chan; Gaudet, Vincent. Microelectronic Circuits 8. New York: Oxford University Press. 2019: 1192. ISBN 978-0190853464.
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