非晶硅
(重定向自無定性矽)
非晶硅(Amorphous silicon, a-Si),又名无定形硅,是硅的一种同素异形体。晶体硅通常呈正四面体排列,每一个硅原子位于正四面体的顶点,并与另外四个硅原子以共价键紧密结合。这种结构可以延展得非常庞大,从而形成稳定的晶格结构。而无定性硅不存在这种延展开的晶格结构,原子间的晶格网络呈无序排列。换言之,并非所有的原子都与其它原子严格地按照正四面体排列。由于这种不稳定性,无定形硅中的部分原子含有悬空键。这些悬空键对硅作为导体的性质有很大的负面影响。然而,这些悬空键可以被氢所填充,经氢化之后,无定形硅的悬空键密度会显著减小,并足以达到半导体材料的标准。但很不如愿的一点是,在光的照射下,氢化无定形硅的导电性能将会显著衰退,这种特性被称为SWE效应(Staebler-Wronski_Effect)。
美国科学家史丹佛·奧維辛斯基拥有许多关于无定形硅的专利,包括半导体、太阳能电池等。它们的成本较相应的晶体硅制成品要低很多。
參考
外部链接
- Theory and Simulation at Ohio University, Athens Ohio
- National(U.S.)Renewable Energy Laboratory Information on Amorphous Silicon
- How electronic inks will work (页面存档备份,存于互联网档案馆)
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