非晶硅

非晶硅（Amorphous silicon, a-Si），又名無定形硅，是硅的一種同素異形體。晶體硅通常呈正四面體排列，每一個硅原子位於正四面體的頂點，並與另外四個硅原子以共價鍵緊密結合。這種結構可以延展得非常龐大，從而形成穩定的晶格結構。而無定性硅不存在這種延展開的晶格結構，原子間的晶格網絡呈無序排列。換言之，並非所有的原子都與其它原子嚴格地按照正四面體排列。由於這種不穩定性，無定形硅中的部分原子含有懸空鍵（英語：Dangling bond）。這些懸空鍵對硅作為導體的性質有很大的負面影響。然而，這些懸空鍵可以被氫所填充，經氫化之後，無定形硅的懸空鍵密度會顯著減小，並足以達到半導體材料的標準。但很不如願的一點是，在光的照射下，氫化無定形硅的導電性能將會顯著衰退，這種特性被稱為SWE效應（Staebler-Wronski_Effect）。