磷化镓
化合物
磷化镓（GaP）是镓的磷化物，是无机化合物，也是半导体材料，其间接能隙为2.26eV（300K）。其多晶的材料为淡橙色。未掺入杂质的单晶芯片会是透明的橙色，但大量掺入杂质的芯片因为吸收自由电子，其颜色会变深。磷化镓无味，不会溶于水。
| 磷化镓 | |
|---|---|
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| IUPAC名 gallanylidynephosphane | |
| 识别 | |
| CAS号 | 12063-98-8 
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| PubChem | 82901 |
| ChemSpider | 74803 |
| SMILES |
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| InChI |
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| InChIKey | HZXMRANICFIONG-ZZOGKRAHAQ |
| RTECS | LW9675000 |
| 性质 | |
| 化学式 | GaP |
| 摩尔质量 | 100.697 g·mol⁻¹ |
| 外观 | 淡橙色固体 |
| 气味 | 无味 |
| 密度 | 4.138 g/cm3 |
| 熔点 | 1477 °C（1750 K） |
| 溶解性（水） | 不溶于水 |
| 能隙 | 2.26 eV (300 K) eV |
| 电子迁移率 | 250 cm2/(V*s) (300 K) |
| 热导率 | 1.1 W/(cm*K) (300 K) |
| 折光度n D |
3.02 (2.48 µm), 3.19 (840 nm), 3.45 (550 nm), 4.30 (262 nm) |
| 结构 | |
| 晶体结构 | 闪锌矿 |
| 空间群 | T2d-F-43m |
| 晶格常数 | a = 545.05 pm |
| 配位几何 | 四面体 |
| 危险性 | |
| NFPA 704 |
 1
3
1
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| 相关物质 | |
| 其他阴离子 | 氮化镓 砷化镓 锑化镓 |
| 其他阳离子 | 磷化铝 磷化铟 |
| 若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。 | |
若要变成N型半导体，需要掺杂硫或是碲，若要制作P型半导体，需要掺杂锌。
磷化镓常用在光学系统中，其折射率在波长262 nm (UV)时为4.30，波长550 nm (green)时为3.45，波长840 nm(IR)时为3.19[1]。
发光二极管
自1960年代起，磷化镓就会用来做低价的红色、绿色及橘色发光二极管，亮度低至中等都有。在大电流时其寿命较短，其寿命对温度也相当敏感，一般会独立使用，或是配合磷砷化镓使用。
纯的磷化镓会发波长555 nm的绿光，掺杂氮的会发出波长565 nm的黄绿光，掺杂氧化锌的会发红光(700 nm)。
磷化镓会被黄光及红光穿透，因此磷化镓为基板的磷砷化镓会比以砷化镓为基板的要好。
在温度到900 °C时，磷化镓会分解，并且磷会以气体方式离开。在LED芯片成长时，温度会到1500度，为避免前叙情形，需将磷密封在熔化的氧化硼中，并用10-100大气压力的不活性气体加压。此程序称为液体密封切克劳斯基法（LEC），是硅芯片制程中柴可拉斯基法的变形。