讨论:闪存
Hzt0208042508415531 tw在话题“请求与快闪存储器转换层合并”中的最新留言：2年前
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NVRAM
闪存(Flash)在英文版中被归类为非易失性随机存取存储器（NVRAM，中文似乎没有此页），而在中文版中被归类为电子抹除式可复写只读存储器（EEPROM），哪个正确？ -Kovl（留言） 2013年8月28日 (三) 03:14 (UTC)
- 见仁见智，同样是非挥发性记忆体(NVM)，不过目前快闪存储器(flash memory)的规模(如市场、种类、应用……等)应已足够的多与大到可以自成一类, 归类于EEPROM可能就是10年前的分类法。Ccwesley（留言） 2013年8月28日 (三) 06:21 (UTC)
- 闪存、EEPROM和EPROM均属于浮栅晶体管存储器，利用浮栅拘束电子来保存数据，不同点主要在于擦除方式。EPROM使用紫外线擦除，EEPROM改由电子方式擦除，而Flash则进一步改变了擦除的单位和范围。所以这几种分类应该都是正确的。--Aixiangsui（留言） 2013年11月12日 (二) 13:39 (UTC)
外部链接已修改
各位维基人：
我刚刚修改了闪存中的1个外部链接，请大家仔细检查我的编辑。如果您有疑问，或者需要让机器人忽略某个链接甚至整个页面，请访问这个简单的FAQ获取更多信息。我进行了以下修改：
- 向 http://press.dramexchange.com/en/node/151 加入
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外部链接已修改
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请求与快闪存储器转换层合并
2013-7-1DreaMQ的合并请求 死灰（留言） 2022年5月27日 (五) 04:38 (UTC)
没有必要。该条目篇幅足够大。 Hzt0208042508415531 tw（留言） 2022年6月21日 (二) 04:25 (UTC)