王陽元
科学家
王陽元（1935年1月1日—），男，浙江寧波人，中國微電子學家，中國科學院院士，北京大學微電子學研究院院長，信息科學技術學院微電子學系主任，微米/納米加工技術國家重點實驗室主任，IEEE Fellow、IEE Fellow。他是中國硅柵N溝道MOS技術開拓者之一。[1][2]
生平
1935年1月1日出生於浙江寧波鎮海縣（現鎮海區）。1947年入讀寧波中學。1953年考入北京大學，1958年畢業。
20世紀70年代，主持研製成功中國第一塊3種類型1024位MOS動態隨機存儲器。20世紀80年代，提出多晶硅薄膜「應力增強」氧化模型，工程應用方程和摻雜濃度與遷移率的關係，受國際同行重視。20世紀90年代後期，開始研究微機電系統（MEMS），獲得一系列專利。領導研製成功中國首個大型集成化的ICCAD系統。創建中芯國際並擔任董事長。
曾參與漢芯的鑑定工作，漢芯後被曝光為造假。
家庭
妻子是中國科學院院士楊芙清。
