刻蝕
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刻蝕（英語：etching）是半導體器件製造中利用化學途徑選擇性地移除沉積層特定部分的工藝。刻蝕對於器件的電學性能十分重要。如果刻蝕過程中出現失誤，將造成難以恢復的矽片報廢，因此必須進行嚴格的工藝流程控制。半導體器件的每一層都會經歷多個刻蝕步驟。[1] 刻蝕一般分為電子束刻蝕和光刻，光刻對材料的平整度要求很高，因此，需要很高的清潔度。 但是，對於電子束刻蝕，由於電子的波長極短，因此解像度與光刻相比要好的多。 因為不需要掩模板，因此對平整度的要求不高，但是電子束刻蝕很慢，而且設備昂貴。
對於大多數刻蝕步驟，晶圓上層的部分位置都會通過「罩」予以保護，這種罩不能被刻蝕，這樣就能對層上的特定部分進行選擇性地移除。在有的情況中，罩的材料為光阻性的，這和光刻中利用的原理類似。而在其他情況中，刻蝕罩需要耐受某些化學物質，氮化矽就可以用來製造這樣的「罩」。
刻蝕的介質和技術
兩種基本類型的蝕刻劑是液相（「濕法」）和等離子相（「干法」），這兩種類型分別存在多種不同的變種。
參考文獻
- ^ Michael Quirk, Julian Serda. 半导体制造技术（原书名：Semiconductor Manufacturing Technology）. 電子工業出版社. 2005: 404. ISBN 7-5053-9493-2.
- Jaeger, Richard C. Lithography. Introduction to Microelectronic Fabrication. Upper Saddle River: Prentice Hall. 2002. ISBN 0-201-44494-7 請檢查
|isbn=值 (幫助). - Ibid, "Processes for MicroElectroMechanical Systems (MEMS)"
外部連結
- BYU Cleanroom Chemical Etching （頁面存檔備份，存於互聯網檔案館）
- Technology of wet etching （頁面存檔備份，存於互聯網檔案館） of silicon and semiconductor wafers.
- Technology of dry etching （頁面存檔備份，存於互聯網檔案館） or plasma etching of silicon and semiconductor wafers.