異質接面雙載子電晶體
異質接面雙載子電晶體（英語：heterojunction bipolar transistor，縮寫：HBT）是雙極性電晶體的一種，它的發射區和基區使用了不同的半導體材料，這樣，發射結（即發射區和基區之間的PN接面）就形成了一個異質接面。異質接面雙載子電晶體比一般的雙極性電晶體具有更好的高頻訊號特性和基區發射效率，可以在高達數百GHz的訊號下工作。它在現代的高速電路、射頻系統和流動電話中應用廣泛。對異質接面雙極型電晶體的研究始於1951年。[1]
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參考文獻
- ^ W. Shockley: 'Circuit Element Utilizing Semiconductive Material', United States Patent 2,569,347, 1951.
外部連結
- NCSR HBT. [2013-01-06]. （原始內容存檔於2008-04-04）.
- HBT Optoelectronic Circuits developed in the Technion[失效連結] (15Mb, 230p)
- New Material Structure Produces World's Fastest Transistor （頁面存檔備份，存於互聯網檔案館） 604 GHz Early 2005