后道工序
IC製造的第二部分
后道工序[1]或后端工艺（英语：back end of line，BEOL，中国大陆作后道工序[1]或后端工艺，台湾作后段制程[2]）是IC制造的第二部分，其中各个器件（晶体管、电容器、电阻器等）与晶圆上的布线（金属化层）互连。常见的金属有铜和铝。 [3]BEOL通常在晶圆上沉积第一层金属时开始。BEOL包括触点、绝缘层（电介质）、金属层以及用于芯片与封装连接的接合位点。
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在最后一个FEOL步骤之后，就会出现一个带有隔离晶体管（没有任何电线）的晶圆。在制造阶段的BEOL部分中，形成接触（焊盘）、互连线、通孔和介电结构。对于现代IC工艺，可以在BEOL中添加 10 多个金属层。
BEOL 步骤：
- 源极和漏极区域以及多晶硅区域的硅化。
- 添加电介质（第一层，下层是预金属电介质（PMD） – 将金属与硅和多晶硅隔离，对其进行CMP处理
- 在 PMD 上打孔，并在其中建立接触点。
- 添加金属层1
- 添加第二个电介质，称为金属间电介质（IMD）
- 通过电介质制作通孔以将较低金属与较高金属连接。通过金属CVD工艺填充通孔。
- 重复步骤 4-6 以获取所有金属层。
- 添加最终钝化层以保护微芯片
1998 年之前，几乎所有芯片都使用铝作为金属互连层。 [4]
BEOL 之后有一个“后道工序”，该工艺不是在洁净室中完成的，通常由不同的公司完成。它包括晶圆测试、晶圆背面研磨、芯片分离、芯片测试、 IC封装和最终测试。
相关
参考
- ^ 后道工艺. 上海科技大学. [2024-12-25].
- ^ 國發會：今年經濟豐收、明年利大於弊 後段製程有望全球領先. ETtoday财经云. [2024-12-25] （中文（台湾））.
- ^ Karen A. Reinhardt and Werner Kern. Handbook of Silicon Wafer Cleaning Technology 2nd. William Andrew. 2008: 202. ISBN 978-0-8155-1554-8.
- ^ Copper Interconnect Architecture. [2024-01-26]. （原始内容存档于2024-01-26）.
进一步阅读
- Chapter 11: Back End Technology
. Prentice Hall. 2000: 681–786. ISBN 0-13-085037-3. - Chapter 7.2.2: CMOS Process Integration: Backend-of-the-line Integration. Wiley-IEEE. 2010: 199–208 [177–79]. ISBN 978-0-470-88132-3.
