电子注入增强栅晶体管

电子注入增强栅晶体管（Injection enhanced gate transistor），简称IEGT，是一种结合了GTO和IGBT元件优点的电子半导体器件，具有功率大、体积小、效率高、耐压值高、节能性高等特性。

IEGT最先由日本东芝于1993年所研发，并以注入式增强结构（Injection Enhanced，简称IE）技术，取得IEGT器件开发与生产专利，也使得东芝成为IEGT器件的主要生产与供应商。