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半导体制程
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半导体器件制造
金属氧化物半导体场效晶体管
0
10 µm
– 1971
00
6 µm
– 1974
00
3 µm
– 1977
1.5 µm
– 1981
00
1 µm
– 1984
800 nm
– 1987
600 nm
– 1990
350 nm
– 1993
250 nm
– 1996
180 nm
– 1999
130 nm
– 2001
0
90 nm
– 2003
0
65 nm
– 2005
0
45 nm
– 2007
0
32 nm
– 2009
0
22 nm
– 2012
0
14 nm
– 2014
0
10 nm
– 2016
00
7 nm
– 2018
00
5 nm
– 2020
00
3 nm
– 2022
未来
00
2 nm
~ 2024
晶体管数量
互补式金属氧化物半导体
半导体器件
(
多闸极晶体管
)
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晶体管数量
半导体
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